特許

J-GLOBAL ID：200903017891413349

半導体記憶装置

発明者： 藤川 清 ,  辰巳 隆
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社 ,  三菱電機エンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 竹中 岑生 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-116232
公開番号（公開出願番号）：特開2002-313078
出願日： 2001年04月16日
公開日（公表日）： 2002年10月25日
要約：

【要約】【課題】 セルフリフレッシュ時の低消費電力化を適切に実現できる半導体記憶装置を得る。【解決手段】 セルフリフレッシュモードへの移行に応じて基板電圧として印加される負電圧VBBを浅くするVBBレベル変更回路12と、セルフリフレッシュモードへの移行に応じてセルフリフレッシュの周期を長くするリフレッシュサイクル分周器10とを設けた。

請求項（抜粋）：

セルフリフレッシュモードへの移行に応じて基板電圧として印加される負電圧を浅くする電圧制御手段と、セルフリフレッシュモードへの移行に応じてセルフリフレッシュの周期を長くする周期制御手段とを設けたことを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (3件)：

G11C 11/403 ,  G11C 11/406 ,  G11C 11/408

FI (3件)：

G11C 11/34 363 M ,  G11C 11/34 363 L ,  G11C 11/34 354 G

Fターム (16件)：

5M024AA04 ,  5M024BB29 ,  5M024BB39 ,  5M024DD85 ,  5M024EE05 ,  5M024EE24 ,  5M024EE30 ,  5M024FF05 ,  5M024FF06 ,  5M024HH09 ,  5M024HH10 ,  5M024HH20 ,  5M024PP01 ,  5M024PP02 ,  5M024PP03 ,  5M024PP10