特許

J-GLOBAL ID：200903017894337694

半導体装置

発明者： 会田 芳久
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 清水 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-135351
公開番号（公開出願番号）：特開平10-326868
出願日： 1997年05月26日
公開日（公表日）： 1998年12月08日
要約：

【要約】【課題】 信号ライン及び電源ラインに生じる静電気ノイズを低減することができる高周波ノイズカット回路を組み込んだ半導体装置を提供する。また、半導体装置を構成するトランジスタ、信号ライン、電源ライン等を静電気ノイズから守り、誤動作し難くするLSIの構造を提供する。【解決手段】 半導体集積回路素子内に形成されるコンデンサと抵抗からなる高周波ノイズカット回路を形成し、この高周波ノイズカット回路によりパッドからの信号ラインに生じる静電気ノイズを低減する。また、多層メタルまたは多結晶シリコンによって信号ライン、電源ライン、トランジスタ等を覆うことにより、容量(コンデンサ)Cを持たせることにより、静電気ノイズによる内部変動を均一化するとともに、電磁波ノイズから守ることで誤動作を防ぐ。

請求項（抜粋）：

半導体集積回路素子内に形成されるコンデンサと抵抗からなる高周波ノイズカット回路を形成し、該高周波ノイズカット回路によりクロック等の信号ラインに生じる静電気ノイズを低減することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 27/04 H ,  H01L 21/88 Z