特許

J-GLOBAL ID：200903017895106599

半導体発光素子の製造方法

発明者： 平谷 雄二 ,  勝見 隆一 ,  柏 享
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-021882
公開番号（公開出願番号）：特開平6-216470
出願日： 1993年01月13日
公開日（公表日）： 1994年08月05日
要約：

【要約】【目的】 高性能な半導体発光素子を再現性良く、また生産性良く製造できる半導体発光素子の製造方法を提供する。【構成】 3-5族化合物半導体基板21上に、3-5族化合物半導体層22、23、24、25を積層してエピウェハを形成し、次いで、前記エピウェハに光導波路および電流狭窄層を形成する工程を有する半導体発光素子の製造方法において、エピウェハの発光領域近傍28を酸化することにより光導波路および電流狭窄層を形成する。

請求項（抜粋）：

3-5族化合物半導体基板上に、3-5族化合物半導体層を積層してエピウェハを形成し、次いで、前記エピウェハに光導波路および電流狭窄層を形成する工程を有する半導体発光素子の製造方法において、エピウェハの発光領域近傍を酸化することにより光導波路および電流狭窄層を形成することを特徴とする半導体発光素子の製造方法。

IPC (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-125682
  
• 特開昭63-151092
  
• 特開昭50-132883