特許

J-GLOBAL ID：200903017895109679

ダイオード

発明者： 奥村 三郎 ,  左右田 裕
出願人/特許権者： 株式会社三社電機製作所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-148537
公開番号（公開出願番号）：特開平10-321876
出願日： 1997年05月22日
公開日（公表日）： 1998年12月04日
要約：

【要約】【課題】 逆電流からソフトリカバリーさせる安価な高速ダイオードを提供する。【解決手段】 N型で高濃度の第1の半導体層1と,この第1の半導体層1上にエピタキシャル成長させて形成させたN型の低濃度の第2の半導体層6とによりN型の半導体基板を形成する。この半導体基板を高温で熱処理して,第1の半導体層1と第2の半導体層6との接合部に緩慢な濃度の傾きを形成する。この緩慢な傾きを有する半導体基板の第2の半導体層の表面から内部にP型で低濃度の第3の半導体層4を形成させる。さらにこの第3の半導体層4の表面から内部にP型で高濃度の第4の半導体層を形成させる。

請求項（抜粋）：

第1の導電形で高濃度の第1の半導体層と,上記第1の半導体層上にエピタキシャル成長して形成された第1の導電形で低濃度の第2の半導体層とにより形成され,高温で熱処理され第1の半導体層と第2の半導体層との接合部に緩慢な濃度の傾きを有する半導体基板と,上記第2の半導体層の表面からその内部に形成された第2の導電形で低濃度の第3の半導体層と,上記第3の半導体層の表面からその内部に形成された第2の導電型で高濃度の第4の半導体層とを設けたダイオード。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平3-188679
  
• 特開昭58-033875
  
• 特開平3-188679
  
• 特開昭58-033875