特許

J-GLOBAL ID：200903017896265623

被処理物の真空処理方法及び装置

発明者： 浦野 新一
出願人/特許権者： 日新電機株式会社
代理人 (1件)： 谷川 昌夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-182301
公開番号（公開出願番号）：特開平7-037864
出願日： 1993年07月23日
公開日（公表日）： 1995年02月07日
要約：

【要約】【目的】 被処理物とそれを支持するホルダとの間に温度制御用ガスを介在させることで被処理物の温度制御を可能とする被処理物の真空処理方法及び装置を提供する。【構成】 被処理物S1を真空容器1内のホルダ2a上に配置して所定真空下で被処理物S1に目的とする処理を施す被処理物の真空処理方法及び装置であって、真空容器1内に温度制御用ガスを導入して予め定めた圧力の該ガスを配置し、このガス導入配置のあとで被処理物S1をホルダ2aにOリング8を介して固定し、被処理物S1とホルダ2aとの間に所定圧の温度制御用ガスを封じ込め、その後、被処理物S1に目的とする処理を実施する。

請求項（抜粋）：

被処理物を真空容器内のホルダ上に配置して所定真空下で被処理物に目的とする処理を施す被処理物の真空処理方法であって、前記真空容器内に温度制御用ガスを導入して予め定めた圧力の該ガスを配置する工程、前記ガス導入配置工程のあとで被処理物を前記ホルダに気密シール用部材を介して固定し、該被処理物とホルダとの間に前記導入配置した所定圧の温度制御用ガスを封じ込める工程、及び前記ガス封じ込め工程よりあとで前記被処理物に目的とする処理を実施する工程を含むことを特徴とする被処理物の真空処理方法。

IPC (5件)：

H01L 21/3065 ,  C23C 16/46 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/324

FI (2件)：

H01L 21/302 B ,  H01L 21/265 E