特許

J-GLOBAL ID：200903017896506329

MOSトランジスタのLDD構造形成方法

発明者： 森山 徳生
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 菊池 弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-308272
公開番号（公開出願番号）：特開平5-121433
出願日： 1991年10月29日
公開日（公表日）： 1993年05月18日
要約：

【要約】【目的】 簡略な工程で制御性良くLDD構造を形成する。【構成】 ゲート電極22形成後、基板21の垂直方向から高濃度の不純物23をイオン注入する工程と、基板21を回転させながら斜め方向より低濃度の不純物24をイオン注入する工程を行う。基板21を回転させながら斜め方向よりイオン注入することにより、低濃度不純物24はゲート電極22の両側端の下部に打ち込むことが可能となり、高濃度拡散領域25よりゲート電極22内側に突出させて低濃度拡散領域26を形成可能となる。

請求項（抜粋）：

MOSトランジスタのLDD構造の形成方法において、ゲート電極の形成後、(a)基板の垂直方向より高濃度の不純物をイオン注入法により打ち込む工程と、(b)基板を回転させながら、斜め方向より低濃度の不純物をイオン注入法により打ち込む工程を行うことを特徴とするMOSトランジスタのLDD構造形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  H01L 21/265

FI (4件)：

H01L 29/78 301 L ,  H01L 21/265 V ,  H01L 21/265 F ,  H01L 21/265 L

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-163833
  
• 特開平3-108727
  
• 特開平2-153538