特許
J-GLOBAL ID：200903017898186380
フォトマスク、それを用いた露光方法およびフォトマスクパターンの形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-109140
公開番号（公開出願番号）：特開平9-297390
出願日： 1996年04月30日
公開日（公表日）： 1997年11月18日
要約：
【要約】【課題】LSI等の微細パターンのフォトリソグラフィで、レジスト膜に形成するパターンを、角を持つ(例/矩形の)所期のパターンに十分に近似させることが出来るようフォトマスクのパターンを工夫し、それで投影転写したレジスト膜に形成したパターン(さらにはレジストパターンをマスクとするエッチングによる微細パターン被加工物)の形状や寸法が高精度な微細パターンを容易に形成出来るようにすること。【解決手段】角を持ち透過部/又は非透過部からなる所期パターンのコーナー部分に、補正パターンとして同じく透過部/又は非透過部からなる微細な矩形パターンを配置し、その配置関係を、所期パターンのコーナー部頂点が補正パターンの領域内側に置き、両パターンが重なりあう部分は非透過部/又は透過部とするフォトマスク、これによる露光方法そしてフォトマスクパターンの形成方法である。
請求項（抜粋）：
第1の透過部、第1の透過部のコーナー部に相当する箇所に微小な遮光部パターン、そして該遮光部パターンを間に配置して該第1の透過部の反対側に該第1の透過部よりも微小なパターンで透過性のある第2の透過部を備えており、該第1の透過部と該遮光部パターン、そして該遮光部パターンと該第2の透過部がそれぞれ隣接していることを特徴とするフォトマスク。
IPC (2件)：
FI (3件)：
G03F 1/08 D
, G03F 1/08 Z
, H01L 21/30 502 P
