インダクタ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：須山佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-074472
公開番号（公開出願番号）：特開平5-275218
出願日： 1992年03月30日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：

【要約】【目的】高飽和磁束密度および高透磁率を有し、かつ磁気的に飽和しづらくすることによって、直流バイアスが加わるような状態においても優れた電圧ノイズ吸収能を示すインダクタを提供する。【構成】透磁率が3000以上の鉄系アモルファス合金からなるインダクタである。上記鉄系アモルファス合金に適度な熱処理を施すことによって、飽和磁束密度B800 と残留磁束密度Br との差を0.4T以上、すなわち低角形比としている。

請求項（抜粋）：

透磁率が3000以上の鉄系アモルファス合金からなるインダクタであって、前記アモルファス合金は飽和磁束密度B800 と残留磁束密度Br との差が0.4T以上であることを特徴とするインダクタ。

IPC (3件)：

H01F 1/053 , C22C 45/00 , H01F 17/04

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