特許
J-GLOBAL ID：200903017902964407
金薄膜及びパターン化された金薄膜の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
豊田 善雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-284919
公開番号（公開出願番号）：特開平5-319985
出願日： 1992年10月01日
公開日（公表日）： 1993年12月03日
要約：
【要約】【目的】 電子素子や光素子の電極や配線、或いは、圧電素子,電子放出素子,記録媒体等に用いられる金薄膜の形成方法を提供する。【構成】 シリコン基板1上に、硫黄を含む置換基を有する有機硫黄化合物層2を形成し、かかる基板を金錯体溶液3に浸漬し、さらに金錯体溶液中の金錯体を分解処理し、該溶液中の金を飽和状態に移行させ、有機硫黄化合物層2上に金を析出,成長せしめる金薄膜の形成方法。【効果】 常温,常圧に近い条件で、各種基板上に形成された有機硫黄シラン化合物の層上に、選択的にかつ安定して、極めて平滑な表面を有する金結晶薄膜を形成することができる。
請求項（抜粋）：
金錯体溶液中の金錯体を分解処理し、該溶液中の金を飽和状態に移行せしめ、前記溶液中において基板上にかかる金の薄膜を形成する方法であって、上記基板は表面に硫黄を含む置換基を有する有機分子の層を有し、該有機分子の層上に金を析出,成長せしめることを特徴とする金薄膜の形成方法。
IPC (2件)：
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