特許

J-GLOBAL ID：200903017904583419

化学的機械的研磨方法

発明者： 上村 哲也 ,  杉山 慎一
出願人/特許権者： 富士フイルム株式会社
代理人 (4件)： 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  西元 勝一 ,  福田 浩志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-280811
公開番号（公開出願番号）：特開2007-095841
出願日： 2005年09月27日
公開日（公表日）： 2007年04月12日
要約：

【課題】 ディッシングが少なく非常に良好な面内均一性を達成でき、半導体デバイスの化学的機械的平坦化に有用な化学的機械的研磨方法を提供する。【解決手段】 研磨液を研磨定盤上の研磨パッドに供給し、該研磨パッドをウエハの被研磨面と接触させ相対運動させて研磨する半導体デバイスの化学的機械的平坦化方法であって、該研磨液が下記一般式(I)で表される化合物を含有し、且つ、該研磨パッド面内の最高温度と最低温度の差を15°C以下とすることを特徴とする化学的機械的研磨方法である。下記一般式(I)中、R1は、単結合、又はアルキレン基を表す。R2及びR3は、各々独立に、水素原子、アルキル基、又はフェニル基を表す。R4は、水素原子、又はアルキル基を表す。R5は、水酸基又はアミノ基を置換した有機基を表す。但し、R1が単結合のとき、R4は水素原子ではない。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

研磨液を研磨定盤上の研磨パッドに供給し、該研磨パッドをウエハの被研磨面と接触させ相対運動させて研磨する半導体デバイスの化学的機械的平坦化方法であって、 該研磨液が下記一般式(I)で表される化合物を含有し、且つ、該研磨パッド面内の最高温度と最低温度の差を15°C以下とすることを特徴とする化学的機械的研磨方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 ,  B24B 37/00 ,  C09K 3/14

FI (6件)：

H01L21/304 621D ,  H01L21/304 622C ,  H01L21/304 622D ,  B24B37/00 H ,  C09K3/14 550Z ,  C09K3/14 550D

Fターム (5件)：

3C058AA07 ,  3C058AA09 ,  3C058CB01 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 金属用研磨液及びそれを用いた基板の研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-308667   出願人：日立化成工業株式会社
• 特開昭49-122432号公報
  

審査官引用 (5件)

• 研磨組成物および研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-330433   出願人：昭和電工株式会社
• 半導体プロセスに使用する化学機械的研磨剤組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-351205   出願人：エターナルケミカルシーオー.,エルティーディー.
• 研磨装置及び方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-019020   出願人：信越半導体株式会社, 三益半導体工業株式会社
• 配線の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-144434   出願人：松下電器産業株式会社
• 金属用研磨液及び研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-071153   出願人：富士写真フイルム株式会社