単結晶シリコンの製造方法およびその装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：荒垣恒輝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-236397
公開番号（公開出願番号）：特開平10-114597
出願日： 1997年07月30日
公開日（公表日）： 1998年05月06日
要約：

【要約】【課題】カスプ磁界印加による単結晶シリコンの製造において単結晶シリコンに含まれる酸素濃度が軸方向で均一となる製造方法およびその装置を提供する。【解決手段】シリコン融液の固化率が増加するに伴って上部コイルおよび下部コイルに供給する電流を減少させるだけの手順で、あるいは、るつぼの回転数を増加させるだけの手順で、さらに、上部コイルおよび/または下部コイルに供給する電流の大きさを変えることによりカスプ磁界の中心位置を移動させる手順により、単結晶シリコンの軸方向濃度を均一化できる。操業の確実性を実現するために重力センサで検出された結晶重量によりカスプ磁界の強度および磁界中心の位置を調節する磁界制御盤を備え、重量センサで検出された結晶重量により融液表面の位置を一定に保つ融液表面制御盤を備える。

請求項（抜粋）：

るつぼに収容されたシリコンをヒータにより加熱し、回転自在かつ上下動自在に支持されたシードチャックにより単結晶シリコンを引き上げるに際して、シードチャック軸の周りに単結晶シリコンとるつぼを同方向に回転させ、上部コイルおよび下部コイルに電流を供給することにより融液にカスプ磁界を印加し、融液の固化率が増加するに伴って上部コイルおよび下部コイルに供給する電流を減少させる単結晶シリコンの製造方法。

IPC (2件)：

C30B 29/06 502 , C30B 15/00

FI (2件)：

C30B 29/06 502 G , C30B 15/00 Z

引用特許：

審査官引用 (16件)

特公平8-018898
特開昭59-102893
特開昭64-005992

全件表示

前のページに戻る