特許
J-GLOBAL ID：200903017909637746
半導体レーザー
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-297918
公開番号（公開出願番号）：特開平7-170017
出願日： 1985年08月30日
公開日（公表日）： 1995年07月04日
要約：
【要約】【目的】 4元系半導体レーザーにおけるクラッド層におけるLAフォノンの散乱を減少させ、熱伝導率の向上をはかって、レーザー特性、寿命の改善、室温連続発振を可能にするものである。【構成】 4元系半導体レーザーにおいて、活性層13に接して設けられるクラッド層12及び14の少くとも一方が、3元系混晶の各薄膜半導体の周期的積層による超格子構造の4元系クラッド層によって構成し、この超格子構造のクラッド層は、その平均組成が活性層13に対し所要のバンドギャップ差と屈折率差とを有し、活性層13にキャリアと光の閉じ込め効果を奏し得る4元系混晶の組成と同程度の組成に選定されて成る構成とする。
請求項（抜粋）：
活性層に接して設けられるクラッド層の少くとも一方が、3元系混晶による薄膜半導体の周期的積層による超格子構造の4元系クラッド層によって構成され、該超格子構造のクラッド層は、その平均組成が上記活性層に対し所要のバンドギャップ差と屈折率差とを有し上記活性層にキャリアと光の閉じ込め効果を奏し得る上記4元系の混晶の組成と同程度の組成に選定されて成ることを特徴とする半導体レーザー。
引用特許：
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