特許

J-GLOBAL ID：200903017924811418

薄膜形成方法

発明者： 西山 哲 ,  森野 弘
出願人/特許権者： 日新電機株式会社
代理人 (1件)： 山本 惠二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-096124
公開番号（公開出願番号）：特開平8-269693
出願日： 1995年03月28日
公開日（公表日）： 1996年10月15日
要約：

【要約】【目的】 基体上に密着性の高い薄膜を形成することができ、しかも当該薄膜の所望の特性を劣化させる結晶構造や結晶面を除去したり、当該薄膜の表面付近の組成を調整したりすることを容易に行うことができる薄膜形成方法を提供する。【構成】 真空容器2内で基体6に対して、蒸発源8からの蒸発粒子10の蒸着と、イオン源12からの加速されたイオン14の照射とを行うことによって、当該基体6上に薄膜を形成する。その後更に、当該薄膜の表面に、イオン源12からの加速されたイオン14の照射を行う。

請求項（抜粋）：

真空中で基体に対して、蒸発粒子の蒸着と加速されたイオンの照射とを行うことによって、当該基体上に薄膜を形成し、その後更に、当該薄膜の表面に、加速されたイオンの照射を行うことを特徴とする薄膜形成方法。