特許

J-GLOBAL ID：200903017931963789

サージアブソーバ及びその製造方法

発明者： 蛸島 武広
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-212190
公開番号（公開出願番号）：特開2000-048929
出願日： 1998年07月28日
公開日（公表日）： 2000年02月18日
要約：

【要約】【課題】 応答速度が速く、続流を生じず、動作開始電圧が低く、大電流を吸収する。部品点数が少なく、多くの工程を要せず安価に製造できる。【解決手段】 一対の端子電極となる2つの導電性素体11,12がこれらの導電性素体の全周囲に配置された絶縁スペーサ14を間に挟んで密閉空間15を有するように接着される。この密閉空間15に臨む一方の導電性素体11の表面に複数のシリコンナノチューブ16cやカーボンナノチューブ17cのような導電性線状体が立設される。これらの導電性線状体の先端と密閉空間15に臨む他方の導電性素体12の表面との間にマイクロギャップgが形成され、密閉空間15が真空である。

請求項（抜粋）：

一対の端子電極となる2つの導電性素体(11,12)が前記導電性素体(11,12)の全周囲に配置された絶縁スペーサ(14)を間に挟んで密閉空間(15)を有するように接着され、前記密閉空間(15)に臨む一方の導電性素体(11)の表面に複数の電界放出用の導電性線状体(16c,17c)が立設され、前記導電性線状体(16)の先端と前記密閉空間(15)に臨む他方の導電性素体(12)の表面との間にマイクロギャップ(g)が形成され、前記密閉空間(15)が真空であることを特徴とするサージアブソーバ。

IPC (5件)：

H01T 4/12 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01T 21/00 ,  H02H 9/06

FI (4件)：

H01T 4/12 F ,  H01T 21/00 ,  H02H 9/06 ,  H01L 27/04 H

Fターム (9件)：

5F038BH13 ,  5F038CA16 ,  5F038CD18 ,  5F038DF01 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ20 ,  5G013AA16 ,  5G013BA02 ,  5G013DA03