特許

J-GLOBAL ID：200903017936191105

酸化インジウム-金属錫混合粉末及び同混合粉末を原料とするITOスパッタリングターゲット並びに同ターゲットの製造方法

発明者： 中島 光一 ,  館野 諭
出願人/特許権者： 株式会社日鉱マテリアルズ
代理人 (1件)： 小越 勇 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-073685
公開番号（公開出願番号）：特開2001-262326
出願日： 2000年03月16日
公開日（公表日）： 2001年09月26日
要約：

【要約】【課題】 高品質なITO膜の形成に好適な、高密度でかつ焼結体中の錫成分が酸化インジウム中に固溶し、酸化錫の形態で存在していない焼結体を得ることができる酸化インジウム-金属錫混合粉末を低コストで製造でき、この混合粉末を用いて焼結したITOスパッタリングターゲットを用いることにより、スパッタリングによる成膜中にターゲットに発生するノジュールを抑制し、異常放電やパーティクルを減少させることが可能となる。【解決手段】 平均粒径1〜100μmの金属錫粉末と残部が酸化インジウム粉末からなる混合粉末を微粉砕した後、造粒し、これを常温で圧力700〜3000kg/cm2をかけて成型し、この成型体を、酸素雰囲気又は大気中で、1500〜1650°Cで焼結して得たITOスパッタリングターゲット並びにその製造方法。

請求項（抜粋）：

酸化インジウム粉末と平均粒径1〜100μmの金属錫粉末からなることを特徴とする酸化インジウム-金属錫混合粉末。

IPC (3件)：

C23C 14/34 ,  C04B 35/00 ,  H01B 13/00 503

FI (3件)：

C23C 14/34 A ,  H01B 13/00 503 B ,  C04B 35/00 H

Fターム (18件)：

4G030AA34 ,  4G030AA61 ,  4G030GA03 ,  4G030GA05 ,  4G030GA11 ,  4G030GA22 ,  4G030GA25 ,  4G030GA27 ,  4K029BA45 ,  4K029BA50 ,  4K029BC09 ,  4K029CA05 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  5G323BA01 ,  5G323BA02 ,  5G323BB05 ,  5G323BB06