特許
J-GLOBAL ID：200903017939467969
半導体薄膜の製造方法および半導体薄膜磁気抵抗素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-315214
公開番号（公開出願番号）：特開平7-169686
出願日： 1993年12月15日
公開日（公表日）： 1995年07月04日
要約：
【要約】【目的】高温における安定性と高電子移動度を有し、自動車用ギヤセンサ等の高温用途においても十分な信頼性を有する半導体薄膜の製造方法を提供する。【構成】Si単結晶基板1の表面の酸化膜を除去して水素吸着を行う工程と、Si単結晶基板1上にInからなる下地層2を形成する工程と、下地層2上にInとSbとを含む予備堆積層3を形成する工程と、予備堆積層3上にSbからなる被覆層11を形成する工程と、被覆層11を形成した状態で被覆層11を大気にさらす工程と、大気にさらした被覆層11を真空中で加熱して除去する工程と、被覆層11の除去により露出した予備堆積層3上に少なくともInとSbとを含む半導体薄膜層4を形成する工程とを含んでいる。
請求項（抜粋）：
シリコン単結晶基板の表面の酸化膜を除去して水素吸着を行う工程と、前記シリコン単結晶基板上にインジウムからなる下地層を形成する工程と、前記下地層上に少なくともインジウムとアンチモンとを含む予備堆積層を少なくとも形成初期において200〜350°Cの温度範囲で形成する工程と、前記予備堆積層上にアンチモンからなる被覆層を形成する工程と、前記被覆層を形成した状態で前記被覆層を大気にさらす工程と、前記大気にさらした前記被覆層を真空中で350°C以上に加熱して除去する工程と、前記被覆層の除去により露出した前記予備堆積層上に少なくともインジウムとアンチモンとを含む半導体薄膜層を形成する工程とを含む半導体薄膜の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/20
, H01L 43/08
, H01L 43/12
