特許
J-GLOBAL ID：200903017940731068
ウェハスケール半導体不揮発性記憶装置とその書き込み方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-180602
公開番号（公開出願番号）：特開平6-005822
出願日： 1992年06月16日
公開日（公表日）： 1994年01月14日
要約：
【要約】【構成】 書き込み速度が遅いが記憶保持寿命が長い第1の半導体不揮発性記憶装置12からなる第1のブロック14と、書き込み速度が速いが記憶保持寿命が短い第2の半導体不揮発性記憶装置13からなる第2のブロック15とで、構成するウェハスケール半導体不揮発性記憶装置およびその書き込み方法。【効果】 ウェハスケール半導体不揮発性記憶装置における書き込み速度を速くすることと、記憶保持寿命を長くすることとを達成することができる。
請求項（抜粋）：
複数の半導体不揮発性記憶装置からなるウェハスケール半導体不揮発性記憶装置において、第1の半導体不揮発性記憶装置からなる第1のブロックと、第1の半導体不揮発性記憶装置より書き込み速度が速く記憶保持性が劣る第2の半導体不揮発性記憶装置からなる第2のブロックとを有することを特徴とするウェハスケール半導体不揮発性記憶装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 27/10 433
, H01L 21/82 Z
