特許
J-GLOBAL ID：200903017940841106
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 富士弥 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-155529
公開番号（公開出願番号）：特開平5-347269
出願日： 1992年06月16日
公開日（公表日）： 1993年12月27日
要約：
【要約】【目的】 高アスペクト比のコンタクトホールにAl系金属を、高温Alスパッタ法にて良好に埋め込むことを実現する。【構成】 コンタクトホール内にバリアメタル層3を形成した後、コンタクトホール側壁に、Ti膜4を残して形成し、このTi膜4がシード膜となり選択W-CVDの核成長が促進され、コンタクトホール側壁に十分な膜厚の選択W膜5が形成できる。このため、高温スパッタによりAl系金属膜6の埋込み特性が良好となる。
請求項（抜粋）：
半導体基板に形成した拡散層上若しくは配線層上の絶縁膜を選択的に開孔して接続孔を形成し、該接続孔の側壁に選択的にタングステン膜を成長させた後、スパッタリング法で、前記半導体基板を加熱しながら前記接続孔にアルミニウム系金属を埋め込むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/28 301
, H01L 21/285 301
, H01L 21/90
