特許
J-GLOBAL ID：200903017950132626
ダイヤモンド薄膜の堆積方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-017412
公開番号（公開出願番号）：特開平5-213695
出願日： 1992年02月03日
公開日（公表日）： 1993年08月24日
要約：
【要約】【目的】 結晶性の良好なダイヤモンド薄膜を容易に堆積する方法を提供する。【構成】 真空槽内の基板素材101に、少なくとも炭素原子を含む粒子102を加速して照射し、基板素材101の表面に基板素材101と炭素原子の結合によって形成された改質層103を形成する。次いでメタンガスなどのダイヤモンド形成用原料ガスの供給下でプラズマCVD法などにより基板素材上にダイヤモンド薄膜104を堆積する。
請求項（抜粋）：
基板素材に、少なくとも炭素原子を含む粒子を加速して照射した後、前記基板素材上にダイヤモンドの形成を行なうことからなるダイヤモンド薄膜の堆積方法。
IPC (4件)：
C30B 29/04
, C23C 16/02
, C23C 16/26
, H01L 21/205
