特許

J-GLOBAL ID：200903017951309309

プローブ結合基板、その製造方法、及びその分析方法

発明者： 中村 久美
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (4件)： 宮崎 昭夫 ,  金田 暢之 ,  伊藤 克博 ,  石橋 政幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-187597
公開番号（公開出願番号）：特開2004-085557
出願日： 2003年06月30日
公開日（公表日）： 2004年03月18日
要約：

【課題】各種表面分析法を用いた場合に、プローブの分析を問題なく行なえ、抜き取り検査でのロスが最小限であり、標的物質の検出や定量を迅速かつ安価に行なえるプローブ結合基板及びその製造方法を提供する。また、検体中の標的物質を迅速かつ安価に定量する方法を提供する。【解決手段】標的物質に対して特異的に結合可能なプローブが、少なくとも表面が絶縁性の基板表面に、少なくとも該プローブと同一面上に、導電性膜が配置されていることを特徴とするプローブ結合基板、及びその製造方法。測定検体中に含まれている可能性のある標的物質に対して特異的に結合するプローブを基板上に互いに独立した複数のスポットとして有するプローブアレイを分析する方法であって、該基板表面に導電性膜を配置し、該導電性膜をアースと電気的に接続した後に、該プローブの分析を行なうことを特徴とする分析方法ならびに装置。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

標的物質に対して特異的に結合可能なプローブが基板の表面に結合されたプローブ結合基板であって、 表面の第1の位置に前記プローブが結合され、該第1の位置と特定の位置関係をもつことで該第1の位置を特定可能な第2の位置に金属または金属化合物が配置されていることを特徴とするプローブ結合基板。

IPC (6件)：

G01N33/53 ,  C12N15/09 ,  C12Q1/68 ,  G01N1/28 ,  G01N23/225 ,  G01N37/00

FI (8件)：

G01N33/53 M ,  G01N33/53 D ,  C12Q1/68 A ,  G01N23/225 ,  G01N37/00 102 ,  G01N1/28 H ,  G01N1/28 N ,  C12N15/00 F

Fターム (38件)：

2G001AA01 ,  2G001AA03 ,  2G001BA07 ,  2G001BA08 ,  2G001BA09 ,  2G001CA03 ,  2G001GA06 ,  2G001HA13 ,  2G001LA11 ,  2G001MA05 ,  2G001NA07 ,  2G001NA18 ,  2G001PA11 ,  2G052AA00 ,  2G052AD32 ,  2G052AD52 ,  2G052CA03 ,  2G052CA19 ,  2G052CA29 ,  2G052DA08 ,  2G052FD06 ,  2G052FD20 ,  2G052GA11 ,  2G052GA19 ,  2G052GA24 ,  2G052GA35 ,  2G052JA07 ,  4B024AA11 ,  4B024CA09 ,  4B024HA14 ,  4B024HA19 ,  4B063QA18 ,  4B063QQ42 ,  4B063QQ52 ,  4B063QR55 ,  4B063QR84 ,  4B063QS34 ,  4B063QS39