光ディスク原盤の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高野明近 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-041204
公開番号（公開出願番号）：特開2002-245687
出願日： 2001年02月19日
公開日（公表日）： 2002年08月30日
要約：

【要約】【目的】電鋳時にパタンの剥離を起こさない安定した高分子材料層の形成を可能にする熱処理の方法を採用した光ディスク原盤の製造方法を提供する。【構成】ガラス基板1上にフォトレジストと混合しない親水性の高分子材料層2を形成する工程、100〜120°Cで熱処理を行い、その後160〜240°Cで熱処理を行う工程、フォトレジスト層3を形成する工程、フォトレジスト層3をレーザビーム4で露光しパタンを形成する工程、該パタンをマスクとして紫外線(UV光)7を照射し高分子材料層2にパタンを形成する工程、マスクとしたフォトレジスト層3を剥離する工程、パタン表面に電鋳し、ガラス基板1を剥離しスタンパ9を得る工程からなる光ディスク原盤の製造方法である。フォトレジスト層を剥離後の高温の熱処理を省略することが可能で、フォトレジスト層3上のピットや案内溝のパタン形状を損なうことがない。

請求項（抜粋）：

基板上にフォトレジストと混合しない親水性高分子材料からなる高分子材料層を形成する工程と、該高分子材料層上に前記フォトレジストからなるフォトレジスト層を形成する工程と、該フォトレジスト層をレーザビームを集光した第1の光で露光し、潜像を形成する工程と、前記露光したフォトレジスト層を現像、純水洗浄し、前記露光によるパタンを形成する工程と、該パタンをマスクとして前記フォトレジスト層側より波長320nm以下の第2の光を照射し、前記高分子材料層にパタンを形成する工程と、前記マスクとしたフォトレジスト層を剥離する工程と、前記高分子材料層に形成したパタン表面に導電皮膜を形成し、電鋳する工程と、前記基板を剥離しスタンパを得る工程とを備えた光ディスク原盤の製造方法において、前記高分子材料層を形成する工程の後に、100〜120°Cで熱処理を行う工程と、その後160〜240°Cで熱処理を行う工程を備え、前記フォトレジスト層を剥離後の熱処理を省略することを特徴とする光ディスク原盤の製造方法。

IPC (2件)：

G11B 7/26 501 , G03F 7/20 505

FI (2件)：

G11B 7/26 501 , G03F 7/20 505

Fターム (15件)：

2H097BA02 , 2H097BA06 , 2H097CA17 , 2H097JA03 , 2H097LA20 , 5D121AA02 , 5D121BA03 , 5D121BA05 , 5D121BB05 , 5D121BB07 , 5D121BB25 , 5D121BB33 , 5D121BB34 , 5D121GG04 , 5D121GG07

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