特許

J-GLOBAL ID：200903017957721465

半導体装置及びその製造方法

発明者： 宮本 正文
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 薄田 利幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-023258
公開番号（公開出願番号）：特開平8-222729
出願日： 1995年02月13日
公開日（公表日）： 1996年08月30日
要約：

【要約】【目的】出力抵抗が大きく、かつ、その値をバイアス条件によらず一定に保つことのできるMIS型電界効果トランジスタを有する半導体装置を提供すること。【構成】第1導電型のチャネル領域に第1導電型の高濃度領域5を設け、チャネル領域の表面不純物濃度がドレイン領域4b側からソース領域4aに近付くに従って高くなるようにしたMIS型電界効果トランジスタを有する半導体装置。

請求項（抜粋）：

第2導電型のソース領域とドレイン領域の間に形成された第1導電型のチャネル領域の表面不純物濃度が、上記ドレイン領域側から上記ソース領域側に近付くに従って高くなる高濃度不純物領域を具備するMIS型電界効果トランジスタを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/786

FI (4件)：

H01L 29/78 301 S ,  H01L 27/08 321 C ,  H01L 29/78 301 H ,  H01L 29/78 618 F