特許

J-GLOBAL ID：200903017958784053

可変抵抗器

発明者： 松崎 一夫
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-224465
公開番号（公開出願番号）：特開平6-077013
出願日： 1992年08月25日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：

【要約】【目的】大幅に小型化された可変抵抗器を提供すること。【構成】各固定抵抗器11,〜14は、一方の電極板としての薄膜導電膜11a,〜14a、他方の電極板としての薄膜導電膜11b,〜14b、誘電体薄膜11c,〜14c、中間絶縁層あるいは外装絶縁層としての電気絶縁性薄膜11d,〜14dを順次積層して形成された薄膜製固定抵抗器であり、これらの固定抵抗器11,〜14は順次積層して一体の固定抵抗器積層体7として電気絶縁性材料製の基板1a上に形成される。各固定抵抗器11,〜14は、半導体基板中に半導体素子の製造プロセスにより形成されたMOSFETが直列接続されて、単位抵抗器を構成し、各単位抵抗器の両端部は相互に並列接続されて、外部端子に接続される。それぞれのMOSFETを適宜にON-OFFさせることにより、外部端子間で得られる合成電気抵抗値を可変とする。

請求項（抜粋）：

固定抵抗器と半導体製の開閉素子との直列接続回路でなる単位抵抗器を複数並列に接続して構成し、しかも前記開閉素子は前記単位抵抗器のそれぞれをON/OFFするものである可変抵抗器において、それぞれの固定抵抗器は、薄膜製固定抵抗器とししかも複数の単位抵抗器に属する前記固定抵抗器を相互に積層した固定抵抗器積層体として形成したものであることを特徴とする可変抵抗器。

IPC (4件)：

H01C 10/06 ,  H01C 10/16 ,  H01C 10/50 ,  H01C 13/02