特許
J-GLOBAL ID：200903017960939692
半導体装置の絶縁膜形成方法及び絶縁膜形成装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森 哲也 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-061716
公開番号（公開出願番号）：特開平7-273105
出願日： 1994年03月30日
公開日（公表日）： 1995年10月20日
要約：
【要約】【目的】層間絶縁膜や表面保護膜となる絶縁膜の表面を、より平坦化できるようにする。【構成】ウエハ2を回転させることによりSOG膜を形成するSOG膜形成装置1に、絶縁膜形成用溶液を滴下するノズル7の他に、液体窒素N2 を滴下するノズル8を設ける。そして、SOG膜を形成する直前に、液体窒素N2 を滴下し動力源5を駆動させてウエハ2を回転させることにより、その液体窒素N2 をウエハ2表面に回転塗布させる。
請求項（抜粋）：
絶縁膜形成用溶液を回転塗布する直前のウエハ表面に、液状冷却剤を回転塗布することを特徴とする半導体装置の絶縁膜形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/316
, H01L 21/768
