特許

J-GLOBAL ID：200903017972519206

III 族窒化物半導体およびその製造方法、およびIII 族窒化物半導体装置

発明者： 荻野 慎次
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-075441
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274082
出願日： 1998年03月24日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：

【要約】【課題】Si基板を用いた、貫通転位が少なく、表面が平坦なエピタキシャル層を有する III族窒化物半導体およびその製造方法および III族窒化物半導体装置を提供する。【解決手段】Si基板上へのAlx Gay In1-x-y N(但し、0≦x,y≦1、0≦x+y≦1)からなる III族窒化物半導体のエピタキシャル成長工程を含む III族窒化物半導体および半導体装置の製造方法において、前記Si基板1上にSiの熱酸化膜からなるマスク2mを形成し、Siの露出部に前記 III族窒化物半導体の選択エピタキシャル成長を開始し(成膜初期の層はバッファ層4)、選択エピタキシャル成長した III族窒化物層が横方向にも成長して前記マスクを被覆し、 III族窒化物半導体層5の表面が平坦になるまでエピタキシャル成長を続ける。

請求項（抜粋）：

Si基板上へのAlx Gay In1-x-y N(但し、0≦x,y≦1、0≦x+y≦1)からなる III族窒化物半導体のエピタキシャル成長工程を含む III族窒化物半導体および半導体装置の製造方法において、前記Si基板上にSiの熱酸化膜からなるマスクを形成し、Siの露出部に前記 III族窒化物半導体の選択エピタキシャル成長を開始し、選択エピタキシャル成長した III族窒化物層が横方向にも成長して前記マスクを被覆し、 III族窒化物半導体層の表面が平坦になるまでエピタキシャル成長を続けることを特徴とする III族窒化物半導体の製造方法。