特許

J-GLOBAL ID：200903017972768052

半導体装置の製造方法

発明者： 三原 智 ,  駒田 大輔
出願人/特許権者： 富士通株式会社 ,  富士通ヴィエルエスアイ株式会社
代理人 (1件)： 北野 好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-042736
公開番号（公開出願番号）：特開平7-249607
出願日： 1994年03月14日
公開日（公表日）： 1995年09月26日
要約：

【要約】【目的】 アルミニウム或はアルミニウム合金からなる配線を浸食することなくエッチングによるデポ物を除去することにより、アフターコロージョンの発生を防止することができる半導体装置の製造方法を提供することにある。【構成】 アルミニウム或はアルミニウム合金のエッチングにより配線の微細加工をする半導体装置の製造方法において、エッチング後加熱した硝酸溶液に浸漬する浸漬工程を有する。

請求項（抜粋）：

アルミニウム又はアルミニウム合金のエッチングにより配線の微細加工をする半導体装置の製造方法において、前記エッチング後加熱した硝酸溶液に浸漬する浸漬工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/306 ,  H01L 21/304 341 ,  H01L 21/3213

FI (2件)：

H01L 21/306 F ,  H01L 21/88 C