特許

J-GLOBAL ID：200903017976754390

半導体装置の製造方法

発明者： 柴田 和孝
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 稲岡 耕作 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-257589
公開番号（公開出願番号）：特開2001-085453
出願日： 1999年09月10日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
要約：

【要約】【課題】半導体基板の反りを防ぐことによって、半導体基板の裏面研削処理を良好に行うことができるようにし、これにより、薄型の半導体装置の製造を良好に行う。【解決手段】ウエハWの表面1を保護樹脂層3で覆い、裏面2を裏面樹脂層4で覆うことにより、ウエハWの表裏面における熱膨張/収縮を均等化する。したがって、表面研削工程(d)および裏面研削工程(e)の際に、ウエハWに反りが生じていない。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面に表面樹脂層を形成する工程と、前記半導体基板の裏面に裏面樹脂層を形成する工程と、前記表面樹脂層および裏面樹脂層が形成された半導体基板に対して、前記裏面樹脂層を研磨または研削して除去し、さらに、前記裏面樹脂層が除去された半導体基板の裏面側を研磨または研削することによって、前記半導体基板を薄型化する裏面研削工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/56 ,  H01L 21/304 622 ,  H01L 21/301

FI (3件)：

H01L 21/56 R ,  H01L 21/304 622 N ,  H01L 21/78 A

Fターム (4件)：

5F061AA01 ,  5F061BA07 ,  5F061CA12 ,  5F061CB13