特許
J-GLOBAL ID：200903017978744678
マイクロ波プラズマ処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
北村 欣一 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-018702
公開番号（公開出願番号）：特開平7-006998
出願日： 1991年02月12日
公開日（公表日）： 1995年01月10日
要約：
【要約】【目的】大面積でしかも一様な高い密度のプラズマが生成可能であり、被処理物の処理形式に応じてプラズマのモードを変更できるマイクロ波プラズマ処理装置を提供すること【構成】マイクロ波プラズマ処理装置のプラズマ生成室(1)に連設した拡散室(7)の外周に、プラズマ引出方向の磁場を形成し、且つその磁束密度がf=eB/2πm(f:マイクロ波周波数,e:電子の電荷,B:磁束密度,m:電子の質量)で表されるECR条件よりも十分大きな値を発生できる能力を持ち、且つ上記減衰磁場の減衰量を自由に可変制御するための磁場制御用空芯コイルを設けた【効果】拡散室内で自在に磁束密度を制御でき、プラズマの拡散状態を制御して被処理物の処理方法を任意に変更し得、特にエッチング又はCVDの方法を多様に選択出来、大きな被処理物をプラズマ生成室を大きくせずに拡散室を大きくして処理できるのでプラズマ処理装置が安価になる
請求項（抜粋）：
マイクロ波導入口を備えた真空のプラズマ生成室に連続して被処理物を内部に用意した拡散室を設け、該生成室の外周に、これを取巻き且つプラズマ引出方向に沿った磁場でしかもその磁束密度がマイクロ波導入口付近で最大となりプラズマ引出方向に向かって減衰する減衰磁場を形成する空芯コイルを設け、更に該生成室及び拡散室の外周に、これらの室の内壁への電子の衝突を防止する磁場を形成するための磁石を設け、マイクロ波により該生成室内に発生する高密度プラズマを該拡散室内で拡散させて該被処理物にプラズマ処理を施す装置に於いて、該拡散室の外周に、前記プラズマ引出方向の磁場を形成し、且つその磁束密度がf=eB/2πm(f:マイクロ波周波数(Hz),e:電子の電荷(C),B:磁束密度(T:tesla),m:電子の質量(Kg))で表されるECR(electroncyclotron resonance)条件よりも十分大きな値を発生できる能力を持ち、且つ上記減衰磁場の減衰量を自由に可変制御するための磁場制御用空芯コイルを設けたことを特徴とするマイクロ波プラズマ処理装置。
IPC (5件)：
H01L 21/3065
, C23C 16/50
, C23F 4/00
, H01L 21/205
, H01L 21/31
H01L 21/302 B
, H01L 21/31 C
