特許
J-GLOBAL ID：200903017983323478
半導体の微細加工方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
工業技術院電子技術総合研究所長
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-355611
公開番号（公開出願番号）：特開平6-188408
出願日： 1992年12月18日
公開日（公表日）： 1994年07月08日
要約：
【要約】【目的】 半導体微細構造を簡単かつ高精度に形成する。【構成】 基板10または基板10上にエピタキシャル成長した半導体層11の上にタングステン薄膜を形成する。この薄膜を、既存のリソグラフィ専用機により所望のパタンにパターニングして所定形状のマスク12とする。こうした試料をECRエッチングし、これとの一貫プロセスとして、大気に晒すことなくMOCVD成長炉内に移し、上記のマスク12を選択成長用のマスクとして用いてMOCVD選択再成長によりAlGaAs層17を形成し、埋め込み構造を得る。
請求項（抜粋）：
被加工半導体の表面上に、エッチング及び再成長用のマスクとなる材料膜を形成し、該材料膜を、形成すべき微細構造の平面形状に応じた平面形状にパターニングする工程と;該パターニングされたマスク用材料膜を有する上記被加工半導体を大気に晒すことなくエッチングし、該エッチングした部分に結晶を再成長させる、エッチング及び再成長一貫工程と;を含んでなることを特徴とする半導体の微細加工方法。
IPC (4件)：
H01L 29/68
, H01L 21/20
, H01L 21/205
, H01S 3/18
