特許
J-GLOBAL ID：200903017988898975
炭化珪素半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (11件)：
前田 弘
, 竹内 宏
, 嶋田 高久
, 竹内 祐二
, 今江 克実
, 藤田 篤史
, 二宮 克也
, 原田 智雄
, 井関 勝守
, 関 啓
, 杉浦 靖也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-333265
公開番号（公開出願番号）：特開2007-142116
出願日： 2005年11月17日
公開日（公表日）： 2007年06月07日
要約：
【課題】低温でSiCへイオン注入を行っても結晶性の劣化しない炭化珪素半導体装置を提供する。【解決手段】本発明における第1の炭化珪素半導体装置では、炭化珪素層14の表面において、第2の半導体領域4の占める領域のうちの少なくとも一辺が20μmよりも小さく、第2の半導体領域4の不純物濃度n2、第3の半導体領域5の不純物濃度n3、第2の半導体領域4の深さd2および第3の半導体領域5の深さd3が、2E14cm-2<(d2×n2+d3×n3)<2E15cm-2の条件を満足する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
複数の単位セルを有する炭化珪素半導体装置であって、
前記単位セルは、
炭化珪素層の一部に形成され、平均不純物濃度n1を有する第1導電型の第1の半導体領域と、
前記第1の半導体領域の表面部分に、互いに間隙をおいて並べられた、深さd2で平均不純物濃度n2を有する複数の第2導電型の第2の半導体領域と、
前記第2の半導体領域の表面部分の一部に、深さd3で、平均不純物濃度n3を有する第1導電型の第3の半導体領域と、
前記第3の半導体領域に接するソース電極と、
前記第2の半導体領域の表面に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜の上に形成されたゲート電極とを有し、
前記単位セルにおいて、前記ソース電極端と前記第3の半導体領域端との間の長さが1μmよりも小さく、
前記炭化珪素層の表面において、第2の半導体領域の占める領域のうちの少なくとも一辺が20μmよりも小さく、
前記不純物濃度n2、n3および深さd2、d3に関して、2E14cm-2<(d2×n2+d3×n3)<2E15cm-2の条件を満足する、炭化珪素半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/78
, H01L 21/336
, H01L 29/12
H01L29/78 658A
, H01L29/78 652T
, H01L29/78 652S
, H01L29/78 652F
