特許

J-GLOBAL ID：200903017992916880

高周波用入出力端子ならびにそれを用いた高周波用半導体素子収納用パッケージ

発明者： 冨江 覚
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-043680
公開番号（公開出願番号）：特開平10-242716
出願日： 1997年02月27日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：

【要約】【課題】 高周波用入出力端子において、ミリ帯では信号の伝搬モードの相違に起因する反射損失・挿入損失が発生して伝送特性が悪化する。【解決手段】 下面接地層17と側面接地層18と線路導体19とその両側に配設された同一面接地層20とがそれぞれ形成された下部誘電体基板15と、下部誘電体基板15上に線路導体19と同一面接地層20の一部を挟んで接合された上部誘電体基板16とから成り、上部誘電体基板16を下部誘電体基板15よりも厚くするとともに、下部誘電体基板15と上部誘電体基板16とに挟まれた部分の線路導体19の幅をその他の部分よりも狭くし、かつ同一面接地層20を線路導体19に向けて突出させた高周波用入出力端子である。高周波信号の伝搬モードを揃えて反射損失・挿入損失を低減でき、高周波信号の伝送特性が良好となる。

請求項（抜粋）：

下面に下面接地層が、側面に側面接地層が、上面に線路導体と該線路導体の両側に等間隔で配設された同一面接地層とがそれぞれ形成された下部誘電体基板と、該下部誘電体基板上に前記線路導体および同一面接地層の一部を挟んで接合された上部誘電体基板とから成る高周波用入出力端子であって、前記上部誘電体基板の厚みを前記下部誘電体基板の厚みよりも厚くするとともに、前記線路導体の前記下部誘電体基板と前記上部誘電体基板とに挟まれた部分の幅をその他の部分よりも狭くし、かつ前記同一面接地層の前記下部誘電体基板と前記上部誘電体基板とに挟まれた部分を線路導体に向けて等間隔に突出させたことを特徴とする高周波用入出力端子。

IPC (6件)：

H01P 5/08 ,  H01L 23/12 301 ,  H01P 3/08 ,  H01R 17/12 ,  H01R 33/76 ,  H01L 23/06

FI (6件)：

H01P 5/08 M ,  H01L 23/12 301 C ,  H01P 3/08 ,  H01R 17/12 ,  H01R 33/76 ,  H01L 23/06 Z

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体用パッケージ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-324143   出願人：三菱電機株式会社
• 高周波パッケージ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-084802   出願人：三菱電機株式会社
• 混成集積回路装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-231678   出願人：沖電気工業株式会社
• 特開平2-062064