窓付き半導体レーザ

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中井宏行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-037377
公開番号（公開出願番号）：特開平5-235471
出願日： 1992年02月25日
公開日（公表日）： 1993年09月10日
要約：

【要約】【目的】製造プロセスが簡単で電流ブロック層の窓パターン通りに電流狭窄や端面非注入領域を実現できる半導体レーザを提供する。【構成】半導体積層基板7内に形成された2つのクラッド層3,4で活性層1を挟んだダブルヘテロ型の半導体レーザにおいて、半導体積層基板7の上方より上記活性層1の中央1aを除く部分1bに、酸素イオンを窓パターン状にイオン注入させることによって高抵抗化した窓部2を形成した構造となっている。

請求項（抜粋）：

半導体積層基板内に形成された2つのクラッド層で活性層を挟んだ半導体レーザにおいて、半導体積層基板の上方より上記活性層の中央を除く部分に、酸素イオンを窓パターン状に注入させることによって高抵抗化した窓部を形成した構造とした窓付き半導体レーザ。

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平3-091280
特開平2-205089
特開昭60-062179

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