特許
J-GLOBAL ID：200903017998494481
ホトマスク製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-256018
公開番号（公開出願番号）：特開平6-110192
出願日： 1992年09月25日
公開日（公表日）： 1994年04月22日
要約：
【要約】【目的】 高精度の位相シフタパターンを容易に形成する。【構成】 マスク基板11上に位相シフト層13となる塗布シリコン酸化膜を回転塗布する。レジスト14を回転塗布する。続いて、所定パターンを電子線露光で形成する。このレジスト14のパターンをマスクとして、平行平板型リアクティブ・イオン・スパッタリング装置を用いて、塗布シリコン酸化膜を280nmの膜厚だけドライエッチングにより除去する。この除去した膜厚は位相シフト層13の全膜厚の70%に相当する。続いて、残った塗布シリコン酸化膜を緩衝弗酸溶液を使用してウエットエッチングにより除去する。
請求項（抜粋）：
光透過性の半導体基板上に形成される遮光部の上層あるいは下層に、露光光の位相を制御するための透明膜を、最初にその50%以上95%以下の膜厚をドライエッチし、残りの膜厚をウエットエッチすることによって所定のパターンに形成することを特徴とするホトマスク製造方法。
IPC (2件)：
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