特許

J-GLOBAL ID：200903018001634811

薄膜トランジスタの製造方法

発明者： 桑田 純 ,  松永 浩二
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-034357
公開番号（公開出願番号）：特開平7-245405
出願日： 1994年03月04日
公開日（公表日）： 1995年09月19日
要約：

【要約】【目的】 生産性の向上を図るとともに、信頼性の高い薄膜トランジスタを実現し、ゲート電極の取り出し電極部の電気的接続の信頼性を向上させる。【構成】 アルミニウム薄膜のゲート電極9の全面にアルミニウム酸化膜10を陽極酸化により形成する。層間絶縁膜11,半導体層12,チャンネル保護膜17およびオーミックコンタクト層13を形成する。Ti薄膜15aとアルミニウム薄膜15bを成膜し、アルミニウム薄膜15bを選択的にエッチングする。ドライエッチング法によりTi薄膜15aをエッチングしてソース・ドレイン電極15を形成し、同時に、取り出し電極部9a上のアルミニウム酸化膜10を除去する。ソース・ドレイン電極の形成時まではゲート電極9の全面をアルミニウム酸化膜10で被覆しているため、ヒロック等の発生がなく、表面にアルミニウム酸化膜のない信頼性の高い電気的接続を可能する取り出し電極部9aとなる。

請求項（抜粋）：

基板上にアルミニウムを主成分とし駆動回路と接続するための取り出し電極部を有するゲート電極を形成する工程と、陽極酸化処理によりゲート電極の全表面にアルミニウム酸化膜を形成する工程と、基板全面にソース・ドレイン電極となる金属薄膜を形成する工程と、ドライエッチング法により、前記金属薄膜を選択的に除去して前記ソース・ドレイン電極を形成すると同時に、前記ゲート電極の取り出し電極部上の前記アルミニウム酸化膜の一部もしくは全部を除去する工程とを含む薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 500

FI (2件)：

H01L 29/78 311 P ,  H01L 29/78 311 G