特許
J-GLOBAL ID：200903018003661271

上シフター型位相シフトフオトマスク用ブランクス及び上シフター型位相シフトフオトマスクとそれらの製造方法

発明者：
毛利 弘

毛利 弘 について

, 
宮下 裕之

宮下 裕之 について


出願人/特許権者：
大日本印刷株式会社

大日本印刷株式会社 について


代理人 (1件)： 小西 淳美
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-070255
公開番号（公開出願番号）：特開平7-261369
出願日： 1994年03月16日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：
【要約】【目的】 超LSI、超超LSI等の半導体素子等の高密度半導体集積回路の作製に用いられるフオトマスクであって、ウエーハへ投影露光により微小パターンを転写できる上シフター型位相シフトフオトマスクを提供する。【構成】 透明基板上に、少なくとも遮光層パターン乃至遮光層パターンとシフター層のエッチングストッパー層を形成し、その上にシフター層を全面に形成した後に、シフター層パターンを形成する、上シフター型位相シフトフオトマスクの製造方法であって、遮光層パターンによる段差によって生じるシフター層表面の凹凸を研磨除去することにより平坦化する工程を含む。
請求項（抜粋）：
透明基板上に、少なくとも遮光層パターン乃至遮光層パターンとシフター層のエッチングストッパー層を形成し、その上にシフター層を全面に形成した後に、シフター層パターンを形成する、上シフター型位相シフトフオトマスクの製造方法であって、遮光層パターンによる段差によって生じるシフター層表面の凹凸を研磨除去することにより平坦化する工程を含むことを特徴とする上シフター型位相シフトフオトマスクの製造方法。
IPC (2件)：
G03F 1/08 ,  H01L 21/027
FI (2件)：
H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 528
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (5件)
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