特許

J-GLOBAL ID：200903018004618302

III族窒化物半導体薄膜およびその製造方法

発明者： 大井 明彦
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-313841
公開番号（公開出願番号）：特開2000-150388
出願日： 1998年11月05日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：

【要約】【課題】貫通転位密度の小さく、発光素子に適したIII 族窒化物半導体薄膜およびその製造方法を提供する。【解決手段】単結晶基板上にGaN またはAlN からなるバッファー層およびAlx Gay In1-x-y N(0 ≦x,y かつ0 ≦x+y ≦1)からなるIII 族窒化物半導体薄膜が積層されてなるIII 族窒化物半導体薄膜において、前記III 族窒化物半導体薄膜を第1のIII 族窒化物半導体層3aおよび第2のIII 族窒化物半導体層3bの2層としそれらの間にはIV族元素からなる単一歪み層4を介在させる。

請求項（抜粋）：

単結晶基板上にGaN またはAlN からなるバッファー層およびAlx Gay In1-x-y N(0 ≦x,y かつ0 ≦x+y ≦1)からなるIII 族窒化物半導体薄膜が積層されてなるIII 族窒化物半導体薄膜において、前記III 族窒化物半導体薄膜は第1のIII 族窒化物半導体層および第2のIII 族窒化物半導体層からなり、それらの間にはIV族元素からなる単一歪み層が介在していることを特徴とするIII族窒化物半導体薄膜。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  H01S 5/343

FI (2件)：

H01L 21/205 ,  H01S 3/18 677

Fターム (24件)：

5F045AA04 ,  5F045AA15 ,  5F045AB01 ,  5F045AB02 ,  5F045AB05 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB18 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC18 ,  5F045AD09 ,  5F045AD14 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F073CA17 ,  5F073CB04 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073CB09