特許

J-GLOBAL ID：200903018007073277

多結晶シリコン膜及びその生産方法

発明者： 白井 肇 ,  小林 直之 ,  草間 秀晃
出願人/特許権者： 白井 肇 ,  株式会社日本製鋼所
代理人 (1件)： 前田 宏之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-084739
公開番号（公開出願番号）：特開2003-282433
出願日： 2002年03月26日
公開日（公表日）： 2003年10月03日
要約：

【要約】【課題】 従来の多結晶シリコン膜は、レーザアニール後もアモルファス成分を多く含むため、膜としての結晶化度を高めることができなかつた。【解決手段】 ハロゲン系シリコン原料のガス種を用い、基板4の温度を150〜200°Cの範囲としてプラズマCVD法を行ない、基板4に結晶核を有するアモルファスシリコン膜5aを成膜し、その後、300mJ/cm2 以下のエネルギー密度のレーザ光24をレーザアニールによつて照射させる。

請求項（抜粋）：

ハロゲン系シリコン原料のガス種を用い、基板の温度を150〜200°Cの範囲としてプラズマCVD法を行ない、基板に結晶核を有するアモルファスシリコン膜を成膜し、その後、アモルファスシリコン膜に、300mJ/cm2 以下のエネルギー密度のレーザ光をレーザアニールによつて照射させ、アモルファス成分が少なく結晶化度の高いシリコン膜としたことを特徴とする多結晶シリコン膜。

IPC (3件)：

H01L 21/20 ,  C23C 16/24 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

H01L 21/20 ,  C23C 16/24 ,  H01L 21/205

Fターム (27件)：

4K030AA03 ,  4K030AA17 ,  4K030BA30 ,  4K030CA06 ,  4K030DA08 ,  4K030FA01 ,  4K030JA01 ,  4K030LA15 ,  5F045AA08 ,  5F045AB04 ,  5F045AC05 ,  5F045AD05 ,  5F045AE19 ,  5F045AF07 ,  5F045BB12 ,  5F045BB18 ,  5F045CA15 ,  5F045DP03 ,  5F045EF02 ,  5F045EH14 ,  5F045HA18 ,  5F052AA02 ,  5F052BA02 ,  5F052BA07 ,  5F052BB07 ,  5F052DA02 ,  5F052DB03