特許
J-GLOBAL ID：200903018007124823
犠牲酸化膜の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-241259
公開番号（公開出願番号）：特開平8-107205
出願日： 1994年10月05日
公開日（公表日）： 1996年04月23日
要約：
【要約】【目的】 犠牲酸化膜の製造方法に関し、低温且つ短時間で形成した薄い犠牲酸化膜であっても、窒化物を良好に酸化して膜中に取り込んで容易に除去できるようにする。【構成】 シリコン半導体基板1に生成された例えばSi3 N4 やSiONなどからなる窒化物5を酸化・包含して除去する為の例えばSiO2 からなる犠牲酸化膜をオゾンが含まれる雰囲気中で成膜する。
請求項（抜粋）：
シリコン半導体基板に生成された窒化物を酸化・包含して除去する為の犠牲酸化膜をオゾンが含まれる雰囲気中で成膜することを特徴とする犠牲酸化膜の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 29/78
, H01L 21/316
, H01L 21/318
