特許
J-GLOBAL ID:200903018013103587

3次元画像処理装置の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 中島 淳 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-160330
公開番号(公開出願番号):特開2001-339057
出願日: 2000年05月30日
公開日(公表日): 2001年12月07日
要約:
【要約】【課題】支持基板の着脱工程が不要で製造工程を大幅に簡略化することができ、簡素かつ容易な工程により3次元画像処理装置を製造することができる3次元画像処理装置の製造方法を提供する。また、信頼性の高い絶縁膜で囲まれた埋め込み配線を形成することができる3次元画像処理装置の製造方法を提供する。【解決手段】内部にニ酸化ケイ素からなる絶縁層36が挿入されたn型シリコン結晶基板16上に、フォトダイオードとMOSトランジスタとが形成された光電変換基板20に、多数のマイクロレンズ12が2次元状に形成された石英ガラス製の透明基板10を、光電変換基板20の主面と透明基板10の裏面とが対向するように、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂等の高分子材料からなる接着剤14を介して接着する。
請求項(抜粋):
光を集光するレンズを備えた透明基板と、主面に光電変換素子が形成されると共に該光電変換素子に電気的に接続された埋め込み配線が形成された光電変換基板とを、透明基板の裏面と光電変換基板の主面とが対向するように接着して、3次元画像処理装置を製造する3次元画像処理装置の製造方法。
IPC (10件):
H01L 27/146 ,  G06T 1/00 420 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/768 ,  H01L 27/00 301 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 27/14 ,  H01L 29/786 ,  H04N 5/335
FI (9件):
G06T 1/00 420 A ,  H01L 27/00 301 B ,  H04N 5/335 U ,  H01L 27/14 F ,  H01L 21/88 J ,  H01L 21/90 A ,  H01L 27/08 321 G ,  H01L 27/14 D ,  H01L 29/78 613 Z
Fターム (77件):
4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA04 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118EA04 ,  4M118EA20 ,  4M118FA33 ,  4M118GD01 ,  4M118GD04 ,  4M118GD07 ,  4M118HA21 ,  4M118HA33 ,  5B047BB04 ,  5B047BC01 ,  5B047BC05 ,  5B047DB01 ,  5C024CY47 ,  5C024EX43 ,  5C024GX03 ,  5C024GY31 ,  5C024HX01 ,  5C024HX17 ,  5C024HX40 ,  5C024HX41 ,  5F033HH04 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH19 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ08 ,  5F033KK01 ,  5F033MM30 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ49 ,  5F033RR04 ,  5F033SS25 ,  5F033UU05 ,  5F033VV00 ,  5F033VV07 ,  5F033XX10 ,  5F048AA09 ,  5F048AB03 ,  5F048AB10 ,  5F048AC03 ,  5F048AC10 ,  5F048BA09 ,  5F048BB05 ,  5F048BC12 ,  5F048BF01 ,  5F048BF02 ,  5F048BF03 ,  5F048BF07 ,  5F048BF15 ,  5F048BG12 ,  5F048BG14 ,  5F048CB02 ,  5F048CB03 ,  5F048CB04 ,  5F110AA16 ,  5F110BB10 ,  5F110BB11 ,  5F110CC02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD21 ,  5F110DD30 ,  5F110EE09 ,  5F110HL03 ,  5F110NN62 ,  5F110NN71 ,  5F110QQ16 ,  5F110QQ30

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