特許
J-GLOBAL ID：200903018015996082
ヘテロバイポーラトランジスタ及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-234589
公開番号（公開出願番号）：特開平5-075095
出願日： 1991年09月13日
公開日（公表日）： 1993年03月26日
要約：
【要約】【目的】 HBTのエミッタ、コレクタのコンタクト抵抗を低減し、かつ微細化に適したオーミックコンタクトを形成する。【構成】 HBT構造において、メサエッチングによりエミッタ、及びベース領域を形成した後に窒化シリコン膜、二酸化シリコン膜をマスクにMOCVD法によりにエミッタとコレクタ電極の直下のみに選択的にIn組成が0.5以上のInGaAs層を成長し、さらにエミッタ、及びコレクタ電極金属を全面に蒸着し、フッ酸系の溶液によりエッチングを行い、エミッタ、及びコレクタ電極以外の電極金属を二酸化シリコン膜と共に除去し、エミッタ、及びコレクタ電極を形成する。
請求項（抜粋）：
半絶縁性GaAs基板上に高濃度N型GaAsコレクタコンタクト層、N型コレクタ層、P型GaAsベース層、N型AlGaAsエミッタ層、N型GaAsエッミタコンタクト層を順次形成してからなるヘテロバイポーラトランジスタにおいて、エミッタ電極、及びコレクタ電極直下にIn組成が0.5以上のInGaAs層を有するヘテロバイポーラトランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 29/205
, H01L 21/331
, H01L 29/73
