特許

J-GLOBAL ID：200903018018244626

はんだバンプの形成方法

発明者： 土井 一英 ,  蛭田 陽一 ,  岡田 隆 ,  田沢 浩 ,  柴崎 康司 ,  平野 尚彦 ,  細美 英一 ,  田窪 知章
出願人/特許権者： 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社 ,  株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-002477
公開番号（公開出願番号）：特開平9-191012
出願日： 1996年01月10日
公開日（公表日）： 1997年07月22日
要約：

【要約】【課題】 はんだバンプをはんだメッキで作成する方法において、バリアメタルのエッチングの際、バンプ周辺にバリアメタルのエッチング残渣が生じ、はんだバンプの信頼性に問題が生じていた。【解決手段】 はんだバンプをリフローした後に、バリアメタルの再エッチングを行うことで、エッチング残渣を除去する。

請求項（抜粋）：

半導体ウェハの主表面全面に堆積されたパッシベーション膜を選択的に除去することで露出されている電極パッド上に、バンプ電極を形成するはんだバンプの形成方法であって、前記半導体ウェハ上に多層金属膜層からなるバリアメタル層を蒸着する工程と、前記バリアメタル層上にレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜に開口を形成する工程と、前記開口内に露出するバリアメタル層を電極としてはんだバンプをメッキする工程と、前記レジスト膜を除去する工程と、前記はんだバンプをマスクとしてバリアメタルをエッチングする工程と、はんだバンプをリフローする工程と、前記バリアメタルのエッチング工程において生じたバリアメタル残渣を再エッチングする工程とを具備することを特徴とするはんだバンプの形成方法。

FI (4件)：

H01L 21/92 604 B ,  H01L 21/92 603 D ,  H01L 21/92 604 Q ,  H01L 21/92 604 N