特許

J-GLOBAL ID：200903018019114661

半導体装置及びその製造方法

発明者： 笠井 直記
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 高橋 勇
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-174724
公開番号（公開出願番号）：特開平11-026574
出願日： 1997年06月30日
公開日（公表日）： 1999年01月29日
要約：

【要約】【課題】 マスク・アライメントのずれにより、配線とゲート電極等との間に発生するリーク電流及び短絡を防止する。【解決手段】 ゲート電極111を覆う酸化シリコン膜キャップ112及び酸化シリコン膜スペーサ114に隣接してP型シリコン基板101上に単結晶シリコン層117aが形成され、酸化シリコン膜キャップ112及び酸化シリコン膜スペーサ114上に第1の層間絶縁膜119形成され、第1の層間絶縁膜119及び単結晶シリコン層117a上に第1の層間絶縁膜119と異なるエッチャントを有する材質からなる第2の層間絶縁膜121が形成されている。第2の層間絶縁膜121をエッチングして単結晶シリコン層117aの上面に達するノード・コンタクト孔132を形成する際に、第1の層間絶縁膜119をエッチングストッパとして利用できる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、このゲート絶縁膜上に形成されるとともに上面及び側面を絶縁膜で覆われたゲート電極と、このゲート電極を覆う絶縁膜に隣接して前記半導体基板上に形成された単結晶半導体層と、前記ゲート電極を覆う絶縁膜上に形成された第1の層間絶縁膜と、この第1の層間絶縁膜及び前記単結晶半導体層上に形成されるとともに当該第1の層間絶縁膜と異なるエッチャントを有する材質からなる第2の層間絶縁膜と、この第2の層間絶縁膜に穿設されるとともに前記単結晶半導体層の上面に達するコンタクト孔と、このコンタクト孔を介して前記単結晶半導体層に接続される配線とを備えた半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/28 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (3件)：

H01L 21/90 D ,  H01L 21/28 L ,  H01L 27/10 621 Z

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体加工方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-152385   出願人：ミクロン・テクノロジー・インコーポレーテッド
• 特開平3-049259