特許
J-GLOBAL ID：200903018020012970
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
清水 敬一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-307843
公開番号（公開出願番号）：特開平7-161877
出願日： 1993年12月08日
公開日（公表日）： 1995年06月23日
要約：
【要約】【目的】 電気的特性に悪影響を与える有害物質の半導体装置内部への侵入を阻止する能力を向上する。【構成】 半導体装置の凹部内に充填され且つ該半導体チップを被覆する保護樹脂7は、100重量部のシリコン樹脂と、80〜140重量部のフィラー材とを含有する。フィラー材はシリカ粉末とアルミナ粉末を有し、シリカ粉末の含有率はシリコン樹脂100重量部に対して20〜50重量部である。保護樹脂7に含まれるシリカ粉末及びアルミナ粉末はシリコン樹脂よりも熱膨張係数が小さく、保護樹脂7の熱膨張係数を低減して支持電極との熱膨張係数差を減少する作用がある。また、シリカ粉末の含有率が特定されているので、水分が付着した状態で電界が印加されるような厳しい環境下で使用しても保護樹脂が支持電極から剥離しない。
請求項（抜粋）：
銅を主成分とする金属により形成され且つ凹部を有する支持電極と、リード電極と、前記支持電極の凹部の底部と前記リード電極との間に接続された半導体チップと、前記凹部内に充填され且つ該半導体チップを被覆する保護樹脂とを備えた半導体装置において、前記保護樹脂は、100重量部のシリコン樹脂と、80〜140重量部のフィラー材とを含有し、前記フィラー材はシリカ粉末とアルミナ粉末を有し、前記シリカ粉末の含有率は前記シリコン樹脂100重量部に対して20〜50重量部であることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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