特許
J-GLOBAL ID：200903018022455046
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-283677
公開番号（公開出願番号）：特開平7-142423
出願日： 1993年11月12日
公開日（公表日）： 1995年06月02日
要約：
【要約】【目的】 薄膜化した場合においても比抵抗が上昇せず、かつ耐熱性が劣化することがない金属化合物膜を半導体基板上に形成可能な半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【構成】 半導体基板1上に遷移金属膜6を形成する工程、この遷移金属膜6上に炭素膜7を形成する工程、及び熱処理を施すことにより、半導体基板1の少なくとも一部とそれに接する前記遷移金属層6とを反応させ、半導体基板1の構成元素と遷移金属の化合物からなる膜8を形成する工程を具備することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に遷移金属膜を形成する工程、この遷移金属膜上に炭素膜を形成する工程、及び熱処理を施すことにより、半導体基板の少なくとも一部とそれに接する前記遷移金属層とを反応させ、半導体基板の構成元素と遷移金属の化合物からなる膜を形成する工程を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/28 301
, H01L 21/324
, H01L 21/768
