特許

J-GLOBAL ID：200903018030364017

発光・受光素子及びそれらの製造方法

発明者： 津野 康宏 ,  宗像 務
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 敏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-223992
公開番号（公開出願番号）：特開平6-077522
出願日： 1992年08月24日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：

【要約】【構成】 発光素子あるいは受光素子において、発光部あるいは受光部となるPN接合部107の下方に、屈折率の異なる2種類の薄膜を数十層積み重ねた半導体DBR(Distributed Bragg Reflector)反射膜103を、PN接合部107を囲むように形成する。【効果】 発光素子においては、PN接合部107から下方へ放射された光を、半導体DBR反射膜103に反射させて、発光素子表面に取り出すことができるので、発光効率が高まる。受光素子においては、PN接合部107を透過した光を、半導体DBR反射膜103に反射させて、再びPN接合部107に入射することができるだけでなく、PN接合外周部に入射した光も、半導体DBR反射膜103に反射させて、PN接合部107に入射することができるので、光電変換効率が高まる。

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板表面に形成された凹部と、前記凹部に形成された半導体DBR反射膜と、前記凹部の前記半導体DBR反射膜上に形成された第1導電型を有する第1の半導体領域と、前記第1の半導体領域内に形成され第1導電型とは逆導電型を有する第2の半導体領域を有し、前記第1の半導体領域と前記第2の半導体領域がPN接合していることを特徴とする発光・受光素子。

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開昭64-023581
  
• 特開平2-178978
  
• 特開平3-109779
  
• 特開平4-111476
  
• 特開平4-196213