特許
J-GLOBAL ID：200903018030470097
半導体複合素子およびこの素子を備えたインバータ装置の異常検出方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-224791
公開番号（公開出願番号）：特開平8-098505
出願日： 1994年09月20日
公開日（公表日）： 1996年04月12日
要約：
【要約】【目的】 過電流異常、制御電源電圧低下異常、過熱異常の各異常状態を検出し、検出した異常内容に対応して各々異なった異常信号を出力する半導体複合素子を得る。【構成】 複数の半導体スイッチング素子のいずれかもしくは全ての半導体スイッチング素子の過電流異常、制御電源電圧低下異常、及び上記半導体複合素子の過熱異常を検出する異常状態検出部と、上記異常状態検出部により検出された異常内容に対応して各々異なった異常信号を発生する異常信号発生部とを具備するものである。
請求項（抜粋）：
複数の半導体スイッチング素子を備え、機器の制御を行なう半導体複合素子において、上記複数の半導体スイッチング素子のいずれかもしくは全ての半導体スイッチング素子の過電流異常、制御電源電圧低下異常、及び上記半導体複合素子の過熱異常を検出する異常状態検出部と、上記異常状態検出部により検出された異常内容に対応して各々異なった異常信号を発生する異常信号発生部とを具備する半導体複合素子。
IPC (2件)：
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