真空処理装置および真空処理方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-057845
公開番号（公開出願番号）：特開平8-255784
出願日： 1995年03月17日
公開日（公表日）： 1996年10月01日
要約：

【要約】【目的】ウエハー処理直前にウエハー表面上のパーティクルを除去もしくは減少させ、ウエハーより得られるLSIチップの良品率の向上を図る。【構成】真空処理室内にウエハーを載せるウエハーステージ2と、ウエハーステージ2を底部として内部を真空シールするふたとなるウエハーステージカバー3と、ウエハーステージ2とウエハーステージカバー3により形成される真空的に閉ざされた気密室の内部へガスを導入するためのガス導入配管8と、真空引きを行なうため真空排気配管7を備えており、ウエハーステージ2上のウエハー9にガス導入配管8からガスを吹き付けウエハー上のパーティクルを巻き上げ、その後、真空排気配管7からこのパーティクルを吸い取る。

請求項（抜粋）：

半導体ウエハーに対して処理を行う真空処理室と、前記真空処理室内部に前記半導体ウエハーを載せるウエハーステージとを具備して構成される真空処理装置において、前記ウエハーステージを底部として内部を気密シールするふたとなるウエハーステージカバーと、前記ウエハーステージと前記ウエハーステージカバーにより気密封止される気密室の内部にガスを導入する機構と、前記気密室の内部を真空排気する機構とを備えたことを特徴とする真空処理装置。

IPC (6件)：

H01L 21/3065 , C23C 16/44 , C23F 1/00 101 , C23F 4/00 , H01L 21/203 , H01L 21/205

FI (6件)：

H01L 21/302 B , C23C 16/44 B , C23F 1/00 101 , C23F 4/00 Z , H01L 21/203 S , H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開昭59-066120
特開昭57-095630
特開平3-000032

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