特許

J-GLOBAL ID：200903018040626494

半導体発光素子およびその製造方法

発明者： 冨永 浩司
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 福島 祥人 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-170175
公開番号（公開出願番号）：特開2001-352098
出願日： 2000年06月07日
公開日（公表日）： 2001年12月21日
要約：

【要約】【課題】 白色光を取り出すことが可能でかつ製造が容易であるとともに高い信頼性を有する半導体発光素子およびその製造方法を提供することである。【解決手段】 発光ダイオード素子100は、サファイア基板1上にバッファ層2、SiドープGaN蛍光層3、n-GaN層4、MQW発光層5およびp-GaN層6が順に積層されてなる。SiドープGaN蛍光層3は、十分に良好な結晶性を有する通常のSiドープGaN層に比べて、高濃度のSiがドープされている。このようなSiドープGaN蛍光層3は、MQW発光層5において発生した青色光により励起され、黄色光を発する。この黄色光は、MQW発光層5で発生した青色光と補色関係にある。

請求項（抜粋）：

III 族窒化物系半導体からなりキャリアの注入により発光する発光層と、III 族窒化物系半導体からなり前記発光層において発生した光により励起されて発光する蛍光層とを備え、前記発光層において発生する光のピーク波長と前記蛍光層において発生する光のピーク波長とが異なることを特徴とする半導体発光素子。

FI (2件)：

H01L 33/00 F ,  H01L 33/00 C

Fターム (10件)：

5F041AA11 ,  5F041AA12 ,  5F041CA14 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA48 ,  5F041CA50 ,  5F041CA57 ,  5F041CB28 ,  5F041CB36

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 白色LED
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-212381   出願人：住友電気工業株式会社