特許
J-GLOBAL ID：200903018041600421
半導体発光素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高野 則次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-052884
公開番号（公開出願番号）：特開平6-013654
出願日： 1993年02月17日
公開日（公表日）： 1994年01月21日
要約：
【要約】【目的】 GaP発光ダイオードのメサエッチング側面に露出するpn接合部を移動して半田の付着を防ぐ。【構成】 n型の半導体基板10上にn型の第1の半導体領域11とp型の第2の半導体領域12とをエピタキシャル成長法で形成したウエハを用意する。このウエハの第2の半導体領域12側の表面の分割予定領域に沿って溝を形成する。p型不純物を溝を含むように拡散する。アノード電極18及びカソード電極19を形成した後に、溝で切断して発光ダイオードを得る。アノード電極18を下にして金属基体20に半田21で接着する。
請求項（抜粋）：
第1の導電型の化合物半導体からなる第1の半導体領域と、前記第1の半導体領域よりも薄い厚さを有して前記第1の半導体領域に隣接配置された第2の導電型の化合物半導体領域からなる第2の半導体領域と、前記第1の半導体領域と前記第2の半導体領域との間のpn接合の周縁を覆うように形成された第2の導電型の化合物半導体からなる第3の半導体領域とを備え、前記第3の半導体領域と前記第1の半導体領域との間のpn接合の露出部が前記第1、第2及び第3の半導体領域を含んで形成された半導体チップの側面に位置し、且つこのpn接合の露出部と前記第2の半導体領域の表面との距離が前記第1及び第2の半導体領域間のpn接合と前記第2の半導体領域の表面との距離よりも大きいことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (3件)：
H01L 33/00
, H01L 21/52
, H01L 21/78
