特許

J-GLOBAL ID：200903018044032483

半導体発光素子、および光電子集積回路素子

発明者： 門田 道雄 ,  荒井 晴市
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-190696
公開番号（公開出願番号）：特開2000-022128
出願日： 1998年07月06日
公開日（公表日）： 2000年01月21日
要約：

【要約】【課題】 GaAs基板上に化合物半導体からなる半導体発光素子を形成し、さらに電子回路部と光回路部とをモノリシックに集積して形成したOEIC素子を提供する。【解決手段】 GaAs基板上に電子回路部と光回路部とを有し、同じくGaAs基板上に形成された化合物半導体からなる発光層を介して電子回路部の電気信号と光回路部の光信号との変換を行う光電子集積回路素子であって、前記GaAs基板上にはZnO膜が形成され、該ZnO膜上に前記発光層が形されている。

請求項（抜粋）：

GaAs基板と、GaAs基板上に形成された化合物半導体からなる発光層と、GaAs基板と発光層との間に介在して形成されたZnO膜と、を有することを特徴とする半導体発光素子。

IPC (3件)：

H01L 27/15 ,  H01L 21/203 ,  H01L 33/00

FI (5件)：

H01L 27/15 B ,  H01L 27/15 C ,  H01L 27/15 T ,  H01L 21/203 M ,  H01L 33/00 C

Fターム (20件)：

5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA66 ,  5F041CB33 ,  5F041FF14 ,  5F041FF16 ,  5F103AA04 ,  5F103AA08 ,  5F103BB04 ,  5F103BB09 ,  5F103DD01 ,  5F103DD30 ,  5F103GG10 ,  5F103HH03 ,  5F103LL02 ,  5F103LL03 ,  5F103NN07 ,  5F103RR04